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邓华上将的红军大学毕业证书相比较而言,移动电源市场比较混乱,劣质产品很多。2007年,该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破,2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平,其器件性能接近理论极限,综合指标超越了硅基器件的十余倍。 此前,一项专利从“纸间”转化为具有价值的产品并不容易。
邓华上将的红军大学毕业证书相比较而言,移动电源市场比较混乱,劣质产品很多。2007年,该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破,2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平,其器件性能接近理论极限,综合指标超越了硅基器件的十余倍。 此前,一项专利从“纸间”转化为具有价值的产品并不容易。